APT60GT60JRDQ3 Microchip Technology / Atmel
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Technische Details APT60GT60JRDQ3 Microchip Technology / Atmel
Description: IGBT 600V 105A 379W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 379 W, Current - Collector Cutoff (Max): 330 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT60GT60JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 105A 379000mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT60GT60JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 105A 379W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 379 W Current - Collector Cutoff (Max): 330 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V |
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