APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
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Technische Details APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 500W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: THT, Gate charge: 0.1µC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT6017B2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT6017B2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 500W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT6017B2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS7 600 V 17 Ohm TO-247 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT6017B2FLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 500W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced |
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