APT6013LFLLG Microsemi Power Products Group
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Technische Details APT6013LFLLG Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 43A, Pulsed drain current: 172A, Power dissipation: 565W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: THT, Gate charge: 130nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT6013LFLLG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT6013LFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT6013LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT6013LFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT6013LFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 565W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of channel: enhanced |
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