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APT54GA60BD30 Microchip Technology
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Technische Details APT54GA60BD30 Microchip Technology
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Gate charge: 158nC, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 54A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 161A, Turn-on time: 37ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: POWER MOS 8®; PT, Power dissipation: 416W, Turn-off time: 291ns, Type of transistor: IGBT.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT54GA60BD30 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APT54GA60BD30 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 158nC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 54A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 161A Turn-on time: 37ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Power dissipation: 416W Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT |
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APT54GA60BD30 | Hersteller : MICROSEMI |
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APT54GA60BD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT54GA60BD30 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 158nC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 54A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 161A Turn-on time: 37ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 8®; PT Power dissipation: 416W Turn-off time: 291ns Type of transistor: IGBT |
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