APT50M50L2LLG Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT50M50L2LLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX, Case: TO264MAX, Mounting: THT, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 89A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 200nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 356A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT50M50L2LLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT50M50L2LLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 89A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 356A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 MAX, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT50M50L2LLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 89A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 356A |
Produkt ist nicht verfügbar |