APT50GR120JD30 Microsemi
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Technische Details APT50GR120JD30 Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Collector current: 50A, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT50GR120JD30
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT50GR120JD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50GR120JD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50GR120JD30 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Collector current: 50A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT50GR120JD30 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50GR120JD30 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Collector current: 50A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
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