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APT50GR120JD30 Microsemi


APT50GR120JD30_B-597366.pdf Hersteller: Microsemi
IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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Technische Details APT50GR120JD30 Microsemi

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Collector current: 50A, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT50GR120JD30 APT50GR120JD30 Hersteller : Microchip Technology apt50gr120jd30_b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube
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APT50GR120JD30 APT50GR120JD30 Hersteller : Microchip Technology apt50gr120jd30_b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
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APT50GR120JD30 APT50GR120JD30 Hersteller : Microchip Technology apt50gr120jd30_b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube
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APT50GR120JD30 Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125448-apt50gr120jd30-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Collector current: 50A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT50GR120JD30 APT50GR120JD30 Hersteller : Microchip Technology 125448-apt50gr120jd30-datasheet Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
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APT50GR120JD30 Hersteller : Microchip Technology APT50GR120JD30_B-1593107.pdf IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227
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APT50GR120JD30 Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125448-apt50gr120jd30-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®
Collector current: 50A
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
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