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APT5014BFLLG Microchip Technology
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Technische Details APT5014BFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 403W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: THT, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT5014BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT5014BFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 403W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5014BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT5014BFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 140A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 403W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced |
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