APT4M120K Microchip Technology
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Technische Details APT4M120K Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 225W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3.8Ω, Mounting: THT, Gate charge: 43nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT4M120K nach Preis ab 5.03 EUR bis 7.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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APT4M120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT4M120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.8Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced |
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| APT4M120K |
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| APT4M120K | Hersteller : MICROSEMI |
TO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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APT4M120K | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 |
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