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APT4F120K Microchip Technology
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Technische Details APT4F120K Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 225W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 4.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 43nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT4F120K nach Preis ab 5.82 EUR bis 6.01 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT4F120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT4F120K | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 225W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.2Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT4F120K | Hersteller : Microchip Technology |
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APT4F120K | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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