APT40GF120JRDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI)
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Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 42A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Fast IGBT; FRED; NPT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT40GF120JRDQ2 MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 42A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 150A, Technology: Fast IGBT; FRED; NPT, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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APT40GF120JRDQ2 | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APT40GF120JRDQ2 | Hersteller : Microchip Technology |
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APT40GF120JRDQ2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 42A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 42A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Technology: Fast IGBT; FRED; NPT Mechanical mounting: screw |
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