APT37F50B Microchip Technology
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Technische Details APT37F50B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, On-state resistance: 0.15Ω, Pulsed drain current: 115A, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 24A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 145nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT37F50B nach Preis ab 9.66 EUR bis 11.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT37F50B | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 |
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APT37F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 145nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT37F50B | Hersteller : MICROSEMI |
TO-247AD/37 A, 500 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT37F50 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT37F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; Idm: 115A; 520W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 115A Drain-source voltage: 500V Drain current: 24A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 145nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
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