![APT22F120B2 APT22F120B2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/12/4/8/20/15/163/mcs_/manual/microsemit-max3.jpg)
APT22F120B2 Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT22F120B2 Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW, Mounting: THT, Case: TO247MAX, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 15A, On-state resistance: 0.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 260nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 90A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT22F120B2
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
APT22F120B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
APT22F120B2 | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
APT22F120B2 | Hersteller : Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
APT22F120B2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 90A; 1.04kW Mounting: THT Case: TO247MAX Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 90A |
Produkt ist nicht verfügbar |