APT20M45SVRG Microchip Technology
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Technische Details APT20M45SVRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 195nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 224A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 56A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT20M45SVRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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APT20M45SVRG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT20M45SVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M45SVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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