APT20M36BLLG Microchip Technology
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Technische Details APT20M36BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 65A, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 329W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT20M36BLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT20M36BLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 329W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M36BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 MOSFET FG, MOSFET,200V, 0.036_OHM, TO-247, RoHS |
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APT20M36BLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 329W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced |
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