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APT20M36BFLLG Microchip Technology
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Technische Details APT20M36BFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 329W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 65A, Power dissipation: 329W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : MICROSEMI |
power MOSFET APT20M36 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M36BFLLG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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