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APT20M22LVRG Microchip Technology
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Technische Details APT20M22LVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 520W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 22mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 435nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M22LVRG | Hersteller : Microsemi Corporation |
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APT20M22LVRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 435nC Kind of channel: enhanced |
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