APT20M11JVFR Microchip Technology
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Technische Details APT20M11JVFR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 700A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 175A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 700W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT20M11JVFR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20M11JVFR | Hersteller : Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5 |
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APT20M11JVFR | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT20M11JVFR | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 175A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT20M11JVFR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT20M11JVFR | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT20M11JVFR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 700A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 175A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar |
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