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APT20GN60BDQ1G Microchip Technology
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Technische Details APT20GN60BDQ1G Microchip Technology
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 24A, Power dissipation: 136W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 19ns, Turn-off time: 290ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT20GN60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20GN60BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 19ns Turn-off time: 290ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20GN60BDQ1G | Hersteller : Microsemi Corporation |
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APT20GN60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
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APT20GN60BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 19ns Turn-off time: 290ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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