APT18M80B MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT18M80B MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 12A, On-state resistance: 530mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 500W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.12µC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 70A, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT18M80B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/N-Channel MOSFET APT18 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT18M80B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 800V 19A TO247 |
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APT18M80B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Case: TO247-3 Drain-source voltage: 800V Drain current: 12A On-state resistance: 530mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 70A Mounting: THT |
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