APT15GP60BDQ1G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 8.78 EUR |
| 100+ | 7.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT15GP60BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 56A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns, Switching Energy: 130µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 56 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote APT15GP60BDQ1G nach Preis ab 7.62 EUR bis 8.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT15GP60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
|
|
APT15GP60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| APT15GP60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 15 A TO-247 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||
 |
APT15GP60BDQ1G Produktcode: 72788 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||
 |
APT15GP60BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
 |
APT15GP60BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 65A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
| APT15GP60BDQ1G | Hersteller : MICROSEMI |
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
|
|
APT15GP60BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 27A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 65A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 160ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |