APT150GT120JR Microchip Technology
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Technische Details APT150GT120JR Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Case: SOT227B, Type of module: IGBT, Technology: NPT; Thunderblot IGBT®, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 90A, Pulsed collector current: 450A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT150GT120JR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Case: SOT227B Type of module: IGBT Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Pulsed collector current: 450A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT150GT120JR | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP |
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APT150GT120JR | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 150 A SOT-227 |
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| APT150GT120JR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Case: SOT227B Type of module: IGBT Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Pulsed collector current: 450A |
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