APT150GN120JDQ4 Microchip Technology
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Technische Details APT150GN120JDQ4 Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B, Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS, Case: SOT227B, Technology: Field Stop; Trench, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 99A, Pulsed collector current: 450A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT150GN120JDQ4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT150GN120JDQ4 | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 |
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APT150GN120JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
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APT150GN120JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT150GN120JDQ4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Case: SOT227B Technology: Field Stop; Trench Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 99A Pulsed collector current: 450A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT150GN120JDQ4 | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT150 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT150GN120JDQ4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 99A; SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Case: SOT227B Technology: Field Stop; Trench Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 99A Pulsed collector current: 450A |
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