APT13GP120BDQ1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: POWER MOS 7®; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 5+ | 14.84 EUR |
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Technische Details APT13GP120BDQ1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: POWER MOS 7®; PT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 20A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: THT, Gate charge: 55nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 21ns, Turn-off time: 270ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT13GP120BDQ1G nach Preis ab 9.84 EUR bis 14.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT13GP120BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 270ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT13GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT13GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip / Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT13GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT13GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 41A 250W TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |