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APT13F120S MICROCHIP (MICROSEMI)
![6621-apt13f120b-apt13f120s-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Power dissipation: 625W
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT13F120S MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Power dissipation: 625W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 50A, Gate charge: 145nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 9A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT13F120S | Hersteller : MICROSEMI |
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APT13F120S | Hersteller : Microchip Technology |
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APT13F120S | Hersteller : Microchip Technology |
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APT13F120S | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 50A Gate charge: 145nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±30V |
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