APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.6Ω, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R6BVFRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT1201R6BVFRG Produktcode: 171513 |
 Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced |
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