APT10M11JVFR Microchip Technology
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Technische Details APT10M11JVFR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 576A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 144A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10M11JVFR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT10M11JVFR | Hersteller : Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS5 |
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APT10M11JVFR | Hersteller : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 144A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT10M11JVFR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 144A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVFR | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER FREDFET - MOS5 APT10M11 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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APT10M11JVFR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 144A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar |
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