APT10050B2VFRG Microchip Technology
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Technische Details APT10050B2VFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A, Case: TO247MAX, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 5®, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 500nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 84A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.5Ω, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT10050B2VFRG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT10050B2VFRG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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APT10050B2VFRG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
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| APT10050B2VFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Case: TO247MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.5Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT10050B2VFRG | Hersteller : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
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| APT10050B2VFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Case: TO247MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.5Ω |
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