APL502B2G

APL502B2G Microchip Technology


APL501J_D_Linear_MOSFET_Datasheet-3444314.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET Linear 500 V 58 A TO-247 MAX
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Technische Details APL502B2G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V, Power Dissipation (Max): 730W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V.

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APL502B2G APL502B2G Hersteller : Microchip Technology 6533-apl502b2-apl502lg-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
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APL502B2G APL502B2G Hersteller : Microchip Technology 11426533-apl502b2-l-g-e-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APL502B2G APL502B2G Hersteller : Microchip Technology 11426533-apl502b2-l-g-e-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APL502B2G APL502B2G Hersteller : Microchip Technology 11426533-apl502b2-l-g-e-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 58A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APL502B2G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 6533-apl502b2-apl502lg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 730W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APL502B2G Hersteller : MICROSEMI 6533-apl502b2-apl502lg-datasheet T-MAX/POWER MOSFET - LINEAR APL502
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APL502B2G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 6533-apl502b2-apl502lg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Linear™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 730W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
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