AOTF66920L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Technische Details AOTF66920L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22.5A, On-state resistance: 8.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 8.3W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 50nC, Technology: AlphaSGT™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AOTF66920L | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W Drain-source voltage: 100V Drain current: 22.5A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 8.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AOTF66920L | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 22.5A; 8.3W Drain-source voltage: 100V Drain current: 22.5A On-state resistance: 8.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 8.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP |
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