Technische Details AONR62921 Alpha & Omega Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31.5A; 21.5W; DFN3.3x3.3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 31.5A, On-state resistance: 10.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 21.5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 35nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: DFN3.3x3.3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AONR62921 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor |
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AONR62921 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31.5A; 21.5W; DFN3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 31.5A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 21.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DFN3.3x3.3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AONR62921 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
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AONR62921 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
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AONR62921 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31.5A; 21.5W; DFN3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 31.5A On-state resistance: 10.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 21.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DFN3.3x3.3 |
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