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AOI4126 Alpha & Omega Semiconductor
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Technische Details AOI4126 Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 30A, On-state resistance: 24mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 28nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Mounting: THT, Case: TO251A, Anzahl je Verpackung: 3500 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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AOI4126 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: TO251A Anzahl je Verpackung: 3500 Stücke |
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AOI4126 | Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
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AOI4126 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 50W; TO251A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A On-state resistance: 24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: TO251A |
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