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AOD413A

AOD413A ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOD413A-DTE.pdf Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; 25W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhanced
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Technische Details AOD413A ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET P-CH 40V 12A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 20 V.

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AOD413A AOD413A Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD413A-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; 25W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -12A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.2nC
Kind of channel: enhanced
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AOD413A AOD413A Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD413A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 20 V
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AOD413A AOD413A Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod413a.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD413A AOD413A Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod413a.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD413A AOD413A Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD413A.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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AOD413A Hersteller : ALPHA&OMEGA AOD413A.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 66mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 175°C; AOD413A TAOD413a
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AOD413A AOD413A Hersteller : Alpha & Omega Semiconductor aod413a.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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