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AIMDQ75R140M1HXUMA1

AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon Technologies


Infineon_AIMDQ75R140M1H_DataSheet_v02_01_EN-3387174.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Y
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Technische Details AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Hersteller : INFINEON 4015357.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Hersteller : INFINEON 4015357.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
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Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AIMDQ75R140M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
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AIMDQ75R140M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-aimdq75r140m1h-datasheet-v02_01-en.pdf AUTOMOTIVE_SICMOS
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AIMDQ75R140M1HXUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
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