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AIKW50N65RF5XKSA1

AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_AIKW50N65RF5_DataSheet_v02_04_EN-1957308.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Y
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Technische Details AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies

Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns, Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 250 W, Qualification: AEC-Q101.

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AIKW50N65RF5XKSA1 AIKW50N65RF5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-AIKW50N65RF5-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe8601766cc8105e0014 Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
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AIKW50N65RF5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-aikw50n65rf5-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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