auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 15.98 EUR |
10+ | 13.69 EUR |
25+ | 11.99 EUR |
100+ | 10.49 EUR |
240+ | 9.24 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote AIKW50N65DH5XKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 Produktcode: 168638 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | High speed fast IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |