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Technische Details AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 650V TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns, Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote AIKW40N65DH5XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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| AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101 |
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| AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
AIKW40N65DH5XKSA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 |
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AIKW40N65DH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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