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AFT09MP055GNR1 NXP Semiconductors
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Technische Details AFT09MP055GNR1 NXP Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Power dissipation: 625W, Case: TO270WBG-4, Kind of package: reel; tape, Frequency: 870MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 57W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17.5dB, Efficiency: 69%, Anzahl je Verpackung: 500 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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AFT09MP055GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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AFT09MP055GNR1 | Hersteller : NXP |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WBG-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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AFT09MP055GNR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 1W Gain: 15.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 550 mA |
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AFT09MP055GNR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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AFT09MP055GNR1 | Hersteller : NXP |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WBG-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% |
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