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AFGY120T65SPD-B4 onsemi

AFGY120T65SPD_B4_D-2309984.pdf Hersteller: onsemi
IGBT Transistors FS3 TO247 120A 650V AUTOMOTIVE TRACTION WITH BINNING
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Technische Details AFGY120T65SPD-B4 onsemi

Description: IGBT FS3 120A 650V TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 123 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns, Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 243 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A, Power - Max: 882 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AFGY120T65SPD-B4 AFGY120T65SPD-B4 Hersteller : ONSEMI AFGY120T65SPD-B4-D.PDF Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD-B4 - IGBT, 240 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 882
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 240
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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AFGY120T65SPD-B4 Hersteller : onsemi AFGY120T65SPD-B4_Rev.2_Jun2020.pdf Description: IGBT FS3 120A 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/102ns
Switching Energy: 6.8mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 243 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 378 A
Power - Max: 882 W
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