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Technische Details AFGH4L25T120RWD onsemi
Description: FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Reverse Recovery Time (trr): 174 ns, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Gate Charge: 113 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 357 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AFGH4L25T120RWD | Hersteller : onsemi |
Description: FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Reverse Recovery Time (trr): 174 ns Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Gate Charge: 113 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 357 W |
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AFGH4L25T120RWD | Hersteller : ON Semiconductor | IGBT Power N-channel |
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