A5G35S004NT6 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 26.8 EUR |
10+ | 23.62 EUR |
25+ | 22.99 EUR |
50+ | 21.7 EUR |
100+ | 20.43 EUR |
250+ | 19.78 EUR |
500+ | 18.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details A5G35S004NT6 NXP Semiconductors
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz, Power - Output: 24.5dBm, Gain: 16.9dB, Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5), Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 12 mA.
Weitere Produktangebote A5G35S004NT6
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
A5G35S004NT6 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz Power - Output: 24.5dBm Gain: 16.9dB Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5) Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 12 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |