A2G26H281-04SR3 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 50W
Gain: 14.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
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Technische Details A2G26H281-04SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 50W, Gain: 14.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 150 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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A2G26H281-04SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V |
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