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Technische Details A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
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A2G22S190-01SR3 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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