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Technische Details 71V416S10BEG Renesas / IDT
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote 71V416S10BEG nach Preis ab 11.11 EUR bis 15.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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71V416S10BEG | Hersteller : Renesas Electronics |
 SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
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71V416S10BEG | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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