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6A10-G

6A10-G Comchip Technology

6A005-G Thru. 6A10-G RevB.pdf Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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Technische Details 6A10-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 6A10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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6A10-G 6A10-G Hersteller : Comchip Technology 6A005_G_Thru__6A10_G_RevB-2504838.pdf Rectifiers VR=1000 IO=6.0A
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6A10-G 6A10-G Hersteller : Comchip Technology 6A005-G Thru. 6A10-G RevB.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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6A10-G 6A10-G Hersteller : Comchip Technology 20190821173647.pdf Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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6A10G 6A10G Hersteller : Taiwan Semiconductor 6A05G-6A10G%20N0550%20REV.B.pdf Rectifiers 6A, 100V, Standard Recovery Rectifier
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5000+ 0.34 EUR
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6A10G 6A10G Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 6A10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 6 A, Einfach, 1.1 V, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 6A10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6A10G 6A10G Hersteller : Good-Ark 66a0xg.pdf Diode 1KV 6A 2-Pin Case P-600
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6A10-G 6A10-G Hersteller : Comchip Technology 20190821173647.pdf Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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6A10-G 6A10-G Hersteller : Comchip Technology 20190821173647.pdf Rectifier Diode 1KV 6A 2-Pin Ammo
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6A10G Hersteller : Taiwan Semiconductor 6a05gseries_f2104.pdf Diode Switching Si 100V 6A 2-Pin Case R-6
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6A10G Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 6A10G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: R6
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 10µA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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6A10G 6A10G Hersteller : SMC Diode Solutions 6A05G-6A10G%20N0550%20REV.B.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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6A10G 6A10G Hersteller : SMC Diode Solutions 6A05G-6A10G%20N0550%20REV.B.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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6A10G Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 6A10G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 6A; Ifsm: 400A; R6; Ufmax: 1.1V; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: R6
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.4kA
Leakage current: 10µA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated
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