50C02SS-TL-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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29+ | 0.62 EUR |
42+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.17 EUR |
1000+ | 0.13 EUR |
2000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details 50C02SS-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 400mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-623, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 50C02SS-TL-E
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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50C02SS-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.4A 50V |
auf Bestellung 11127 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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50C02SS-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 400mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-623 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 500MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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50C02SS-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-81 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: 3-SSFP Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
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