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Technische Details 30KPA51A Good-Ark
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 59.9V; 350.7A; unidirectional; ±5%; P600, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 59.9V, Max. forward impulse current: 350.7A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 50µA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.
Weitere Produktangebote 30KPA51A nach Preis ab 2.61 EUR bis 32.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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30KPA51A | Hersteller : Good-Ark |
 Diode TVS Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin Case P-600 |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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30KPA51A | Hersteller : Littelfuse |
TVS Hi Power Diode 30KPA Axial |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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30KPA51A | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 51VWM 86.4VC AXIAL |
auf Bestellung 468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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30KPA51A | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: TVS DIODE 51VWM 86.4VC AXIAL |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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30KPA51A | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 59.9V; 350.7A; unidirectional; ±5%; P600 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 59.9V Max. forward impulse current: 350.7A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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30KPA51A | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 59.9V; 350.7A; unidirectional; ±5%; P600 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 59.9V Max. forward impulse current: 350.7A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: P600 Mounting: THT Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
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