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Technische Details 30KP36CA EIC
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 40.2V; 490.3A; bidirectional; R6; 30kW; bulk, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 36V, Breakdown voltage: 40.2V, Max. forward impulse current: 490.3A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: R6, Mounting: THT, Leakage current: 10000µA, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote 30KP36CA nach Preis ab 4.91 EUR bis 11.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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30KP36CA | Hersteller : EIC |
 TVS Diode Single Bi-Dir 36V 30KW 2-Pin Case D-6 |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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30KP36CA | Hersteller : Solid State Inc. |
Description: 30KW TVS BIDIRECTIONAL |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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30KP36CA | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 36V 30KW 2-Pin Case D-6 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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30KP36CA | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 36V 30KW 2-Pin Case D-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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30KP36CA | Hersteller : CDIL |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 40.2V; 490.3A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40.2V Max. forward impulse current: 490.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 10000µA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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30KP36CA | Hersteller : CDIL |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 40.2V; 490.3A; bidirectional; R6; 30kW; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 36V Breakdown voltage: 40.2V Max. forward impulse current: 490.3A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 10000µA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
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