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30HFU600 IR

Hersteller: IR
Диод БМ DO203AB U=600V I=30A

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Technische Details 30HFU600 IR

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 80 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 600 V.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
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30HFU-600	Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DO203AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 600 V	Produkt ist nicht verfügbar
30HFU-600	Hersteller : Microchip Technology	Description: DIODE GEN PURP 600V DO203AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V	Produkt ist nicht verfügbar
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