2SK4101FS onsemi
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Technische Details 2SK4101FS onsemi
Description: ONSEMI - 2SK4101FS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.4 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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2SK4101FS | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SK4101FS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.4 A, 0.85 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| 2SK4101FS | Hersteller : ON Semiconductor |
N-CHANNEL SILICON MOSFET |
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