Technische Details 2SK3799(Q,M) Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 8A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : Toshiba |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2SK3799(Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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